近期，臺積電在北美技術(shù)論壇上分享了其最新的N2（2納米制程）工藝在缺陷率控制方面的表現(xiàn)，這一消息引起了廣泛關(guān)注。與之前推出的7納米、5納米及3納米制程相比，N2工藝在缺陷率上展現(xiàn)出了更為出色的控制能力。

盡管臺積電并未透露具體的缺陷率數(shù)據(jù)，但會上展示了各制程工藝在不同時間段的缺陷率變化趨勢。值得注意的是，N2工藝是臺積電首次采用GAAFET全環(huán)繞晶體管技術(shù)的工藝節(jié)點，距離其大規(guī)模量產(chǎn)預(yù)計還有兩個季度的時間，預(yù)計年底能夠正式投產(chǎn)。

從試產(chǎn)階段的數(shù)據(jù)來看，N2工藝的缺陷率與同期的N5（5納米）/N4（4納米）工藝相當(dāng)，甚至在某些方面略勝一籌，明顯優(yōu)于N7（7納米）/N6以及N3/N3P（3納米）工藝。在過去的近兩個月里，N2工藝的表現(xiàn)尤為亮眼?；仡櫄v史數(shù)據(jù)，N7/N6工藝在試產(chǎn)到量產(chǎn)的半年內(nèi)，綜合缺陷率一直相對較高，而N3/N3P工藝自量產(chǎn)以來便維持在一個較低的水平。相比之下，N5/N4工藝從試產(chǎn)初期就展現(xiàn)出了極低的缺陷率。

臺積電方面表示，如果N2工藝能夠繼續(xù)沿著N5/N4的改善路徑發(fā)展，其未來的市場前景將極為廣闊。同時，臺積電還強調(diào)了工藝缺陷率下降速度的重要性，這不僅與工藝設(shè)計和技術(shù)本身有關(guān)，還與芯片的生產(chǎn)數(shù)量和產(chǎn)能規(guī)模密切相關(guān)。大規(guī)模的生產(chǎn)能夠更快地發(fā)現(xiàn)潛在問題，從而及時進行改進。

目前，N2工藝已經(jīng)完成了大量芯片的流片工作，這是其能夠快速降低缺陷率的關(guān)鍵因素之一。隨著生產(chǎn)數(shù)量的不斷增加，臺積電有信心進一步優(yōu)化N2工藝，確保其能夠順利實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。