在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，一個(gè)普遍認(rèn)知是，生產(chǎn)7納米以下的高端芯片離不開EUV光刻機(jī)。這一技術(shù)門檻，正是美國(guó)限制ASML向中國(guó)出口EUV光刻機(jī)的關(guān)鍵所在，其目的顯而易見，旨在遏制中國(guó)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域的進(jìn)步。

然而，這種技術(shù)封鎖并未讓中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)感到絕望。相反，它激發(fā)了中國(guó)自主研發(fā)的決心。一旦掌握了自主制造能力，無論美國(guó)如何限制，中國(guó)都能應(yīng)對(duì)自如，因?yàn)楹诵募夹g(shù)的掌握意味著不再受制于人。

隨著時(shí)間的推移，美國(guó)的封鎖范圍不斷擴(kuò)大，連先進(jìn)的DUV光刻機(jī)也被納入禁運(yùn)之列。但中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)早有準(zhǔn)備，國(guó)內(nèi)晶圓廠在禁令實(shí)施前已采購(gòu)了足夠數(shù)量的DUV光刻機(jī)，因此這一舉措并未造成太大影響。

盡管如此，EUV光刻機(jī)仍是懸在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)頭上的一把利劍。畢竟，沒有它，似乎很難跨越7納米以下的工藝門檻。而國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)，似乎還遙遙無期。

然而，近日有專業(yè)機(jī)構(gòu)帶來了一線曙光。據(jù)分析，利用現(xiàn)有的浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)，理論上也可以制造出2納米級(jí)別的芯片。這一發(fā)現(xiàn)，無疑為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了新的可能。

根據(jù)臺(tái)積電的資料，即將量產(chǎn)的“2納米”節(jié)點(diǎn)芯片，其最?。ń饘伲┌牍?jié)距為10納米。值得注意的是，即使采用EUV光刻機(jī)，也無法一次性完成光刻，因?yàn)檫@一精度已超出了目前最先進(jìn)EUV系統(tǒng)的分辨率。因此，EUV光刻機(jī)同樣需要采用多次曝光技術(shù)，如雙重圖案化（SADP）來實(shí)現(xiàn)。

除了SADP外，還有一種名為六重圖案化（SASP）的技術(shù)方案。采用這種方案，相當(dāng)于進(jìn)行六次曝光，可以將光刻機(jī)的分辨率降低至標(biāo)準(zhǔn)的六分之一。以浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)為例，其能達(dá)到的分辨率一般為38納米。如果采用SASP方案，則可以達(dá)到6.3納米半間距，而2納米芯片的半間距為10納米。

因此，從理論上講，2納米芯片也可以使用DUV光刻機(jī)來制造。當(dāng)然，這種SASP方案實(shí)施起來難度較大，需要在SADP（雙對(duì)準(zhǔn)）后緊接著進(jìn)行SATP（三對(duì)準(zhǔn)）。

盡管實(shí)施起來頗具挑戰(zhàn)，但這一發(fā)現(xiàn)無疑為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了寶貴的方向和參考。它意味著，即使沒有EUV光刻機(jī)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)也并非無路可走。當(dāng)然，這種復(fù)雜工藝會(huì)導(dǎo)致良率降低、成本上升，因此在非必要情況下不會(huì)輕易采用。然而，在關(guān)鍵時(shí)刻，這或許將成為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)突破封鎖的關(guān)鍵。